Спрос на память DRAM и NAND в 2025 году: ИИ толкает рынок, но динамика разная

Бум искусственного интеллекта продолжает подстегивать спрос на микросхемы памяти, и, по мнению аналитиков TrendForce, в следующем году эта тенденция сохранится. Однако рынки DRAM и NAND будут демонстрировать разную динамику: если дефицит DRAM сохранится, то предложение NAND, напротив, может превысить спрос, что создаст предпосылки для снижения цен. В этой статье мы разберем, почему сегменты памяти расходятся, какие факторы влияют на цены и к чему готовиться инвесторам и потребителям.

Прогноз TrendForce: DRAM останется дефицитной, NAND ждет переизбыток

Согласно отчету TrendForce, опубликованному в ноябре 2024 года, в 2025 году спрос на память для ИИ-нагрузок будет расти, но структура рынка изменится. В сегменте DRAM, особенно HBM (High Bandwidth Memory), дефицит сохранится из-за высоких требований к производительности и ограниченных мощностей. Производители, такие как SK hynix и Samsung, сосредоточены на выпуске HBM3E, что снижает доступность традиционной DRAM. В то же время рынок NAND, напротив, может столкнуться с переизбытком: ведущие вендоры наращивают выпуск 3D NAND с высокой плотностью, и уже к середине 2025 года предложение может превысить спрос, что приведет к коррекции цен.

Предыстория и контекст

Рынок памяти традиционно цикличен: периоды дефицита сменяются переизбытком. В 2023–2024 годах индустрия переживала спад, но бум ИИ резко изменил ситуацию. Спрос на HBM и высокопроизводительные SSD для дата-центров взлетел, что позволило производителям поднять цены. Однако, как отмечают в TrendForce, сейчас рынки DRAM и NAND расходятся: DRAM выигрывает от ИИ-тренда сильнее, тогда как NAND, используемый в основном в потребительских SSD и смартфонах, менее чувствителен к ИИ-нагрузкам. При этом производители NAND активно наращивают выпуск, что создает риск перепроизводства.

Почему рынки DRAM и NAND ведут себя по-разному?

Основная причина — разная структура спроса. DRAM, особенно HBM, критически важна для ускорителей ИИ (GPU), где требуется высокая пропускная способность. Производство HBM сложнее и требует больше ресурсов, поэтому расширение мощностей идет медленно. NAND же используется для хранения данных, и его емкость растет быстрее за счет увеличения числа слоев (например, 300+ слоев 3D NAND). Кроме того, спрос на NAND со стороны потребителей (ноутбуки, смартфоны) восстанавливается медленнее, чем ожидалось, что усугубляет дисбаланс.

Технические детали: как ИИ меняет рынок памяти

Ключевой драйвер роста для DRAM — HBM3E, используемый в ускорителях NVIDIA H200 и B100. Пропускная способность HBM3E достигает 1 ТБ/с, что в 2 раза выше, чем у HBM3. Производство таких микросхем требует многослойной укладки и сложного тестирования, что ограничивает выход годных. Для NAND главный тренд — переход на 300+ слоев, что увеличивает плотность и снижает стоимость, но требует значительных инвестиций. Samsung, SK hynix и Micron уже анонсировали массовое производство 3D NAND с 400+ слоями к 2025 году, что может привести к избытку предложения.

Кого затронет и как

Для производителей серверов и облачных провайдеров дефицит DRAM означает рост затрат и сложности с поставками HBM. Потребители, напротив, могут выиграть от снижения цен на SSD: уже к концу 2025 года стоимость терабайта может упасть на 10–15%. Для российского рынка, где закупки памяти зависят от параллельного импорта, снижение цен на NAND может сделать SSD более доступными, но дефицит DRAM может затронуть серверные решения. Инвесторы должны учитывать, что акции производителей NAND (например, Western Digital) могут оказаться под давлением, тогда как SK hynix и Samsung останутся в выигрыше благодаря HBM.

Что будет дальше

TrendForce ожидает, что во второй половине 2025 года рынок NAND войдет в фазу избытка, и цены начнут снижаться. Для DRAM дефицит сохранится как минимум до конца 2025 года, особенно в сегменте HBM. Возможна коррекция цен на традиционную DRAM (DDR5) во втором полугодии, если спрос со стороны ПК и смартфонов не восстановится. Производители, вероятно, будут перераспределять мощности в пользу HBM, что еще больше ограничит выпуск других типов памяти.

Итог

Рынок памяти в 2025 году останется под влиянием ИИ, но сегменты DRAM и NAND пойдут разными путями. Инвесторам и потребителям стоит готовиться к росту цен на DRAM и удешевлению NAND. Следить за ситуацией стоит прежде всего с точки зрения баланса спроса и предложения: именно он определит, насколько сильным будет расхождение между двумя типами памяти.