Kioxia начала поставки 230-слойной флеш-памяти BiCS 9-го поколения со скоростью до 4,8 Гбит/с

Японский производитель памяти Kioxia объявил о начале тестовых поставок образцов флеш-памяти BiCS FLASH 3D девятого поколения. Новые чипы выполнены по технологии Triple-Level Cell (TLC) и имеют ёмкость 1 Тбит (терабит) на кристалл. Ключевой особенностью новинки стало использование 230 слоёв, что позволило значительно повысить плотность хранения данных и скорость работы. Скорость интерфейса достигает 4,8 Гбит/с — это на 33% быстрее, чем у предыдущего поколения (3,6 Гбит/с). Такие характеристики открывают новые возможности для высокопроизводительных SSD, особенно в сегменте дата-центров и искусственного интеллекта.

230-слойная архитектура и технологические инновации

Kioxia BiCS 9-го поколения использует 230 активных слоёв — на 18 слоёв больше, чем у 8-го поколения (218 слоёв). Увеличение количества слоёв достигнуто за счёт совершенствования процесса травления и осаждения, что позволило сохранить высокую точность изготовления. Компания также внедрила новую схему управления памятью, которая снижает задержки и энергопотребление. По заявлению Kioxia, плотность хранения данных на пластине выросла примерно на 50% по сравнению с 8-поколением. Это стало возможным благодаря не только увеличению числа слоёв, но и оптимизации ячеек памяти. Чипы выпускаются по техпроцессу, который использует передовые методы литографии, хотя точные параметры процесса компания не раскрывает.

Чем BiCS 9 отличается от BiCS 8?

Главное отличие — скорость интерфейса. BiCS 8 поддерживала до 3,6 Гбит/с, а новое поколение достигает 4,8 Гбит/с, что на 33% быстрее. Это критически важно для высокопроизводительных SSD на интерфейсах PCIe 5.0 и будущих PCIe 6.0. Ёмкость одного кристалла осталась прежней — 1 Тбит для TLC, но за счёт большей плотности на одну пластину помещается больше чипов, что снижает себестоимость. Кроме того, Kioxia улучшила надёжность: увеличен ресурс программирования/стирания (P/E cycles) по сравнению с 8-поколением, хотя точные цифры не приводятся.

Какая скорость чтения и записи у BiCS 9?

Важно понимать, что заявленная скорость интерфейса 4,8 Гбит/с — это пропускная способность шины между контроллером и памятью, а не скорость чтения или записи самого чипа. Реальная производительность SSD будет зависеть от контроллера, прошивки и тепловых ограничений. Однако более быстрый интерфейс снижает задержки и позволяет эффективнее использовать параллелизм. В тестовых образцах, по неофициальным данным, скорость последовательного чтения может превышать 14 ГБ/с при использовании нескольких кристаллов, но точные цифры появятся только после выхода коммерческих SSD.

Технические характеристики и производительность

Новый чип TLC объединяет 1 Тбит (128 Гбайт) в одном кристалле. Скорость передачи данных по интерфейсу — до 4,8 Гбит/с. Для достижения таких показателей Kioxia применила технологию High-K диэлектрика в ячейках памяти и оптимизировала периферийные схемы. Плотность хранения на пластине выросла примерно на 50% по сравнению с 8-поколением, что позволяет производителям SSD получать больше чипов с каждой пластины и снижать стоимость гигабайта. Энергопотребление также снижено благодаря новой схеме управления, что особенно важно для мобильных устройств и дата-центров.

Кого затронет и как

Новая память Kioxia в первую очередь предназначена для производителей твердотельных накопителей (SSD). Серверные и корпоративные SSD получат выигрыш в скорости последовательного чтения/записи, что важно для дата-центров и систем искусственного интеллекта. Потребительские SSD, особенно накопители формата M.2 с PCIe 5.0, также смогут использовать преимущества BiCS 9. Мобильные устройства — смартфоны и планшеты — пока не являются приоритетным рынком для 230-слойной памяти, но в перспективе её можно будет применять в UFS 4.0 и более новых стандартах. Для российского рынка новинка важна как индикатор технологического прогресса: Kioxia остаётся одним из ключевых поставщиков NAND-памяти, и её новые чипы появятся в SSD, доступных в России через параллельный импорт.

Что будет дальше

Kioxia планирует начать массовое производство BiCS 9-го поколения во второй половине 2026 года. Компания также разрабатывает QLC-версию (4-битную) на той же 230-слойной платформе, что позволит ещё больше снизить стоимость хранения. Конкуренты не стоят на месте: Samsung уже выпускает 290-слойную память (V-NAND 9-го поколения), а Micron и SK Hynix также наращивают число слоёв. Ожидается, что гонка слоёв продолжится, и к 2027 году мы увидим 400-слойные чипы. Kioxia также работает над архитектурой с разделением массива ячеек и периферийных схем, что может ещё больше повысить плотность.

Итог

Kioxia BiCS 9-го поколения — значительный шаг вперёд в технологии флеш-памяти. 230 слоёв, скорость интерфейса 4,8 Гбит/с и повышенная плотность обещают более быстрые и ёмкие SSD. Хотя до массового производства ещё год, тестовые поставки подтверждают, что индустрия движется к новым рубежам производительности. Для потребителей это означает, что уже в ближайшие пару лет на рынке появятся SSD с ещё более высокой скоростью и ёмкостью, что особенно важно для задач, требующих больших объёмов данных, таких как ИИ и высокопроизводительные вычисления.